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realme真我gt neo3反面照頒布:超窄邊框打孔屏

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it之家 3 月 18 日動靜,realme gt neo3 將于 3 月 22 日正式頒布,該機將搭載天璣 8100 + 獨顯芯片,全球首演 150w 快充,新機的反面照此前仍舊頒布,即日官方頒布了反面照。

realme 華夏區(qū)總裁徐起頒布的實拍圖表露,realme gt neo3 將沿用居中打孔屏幕計劃,且四周邊框極窄,完全上屬于合流旗艦機程度。

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據(jù)徐起早些功夫表露,realme 真我 gt neo3 搭載天璣 8100 + 獨力表露芯片,具有更強的本能與更低的功耗。除天璣 8100,新機還裝備滿血版 lpddr5+ufs3.1。

it之家領會到,真我 gt neo3 的其余第一次全國代表大會亮點是將全球首演 150w 光速秒充,官方稱 5 秒鐘充氣 50%且扶助 1600 次輪回充尖端放電。

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